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KSH117TF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KSH117TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSH117TF价格参考。Fairchild SemiconductorKSH117TF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 100V 2A 25MHz 1.75W 表面贴装 D-Pak。您可以下载KSH117TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSH117TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSH117TF是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高压、高频率NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于需要高功率处理能力和高频性能的应用场景。该器件采用TO-220F封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业、汽车及电源管理等领域。 典型应用场景包括:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动电路中的功率放大与高速开关控制。由于其具备高达100V的集电极-发射极击穿电压(VCEO)和较高的电流增益带宽积(fT达30MHz以上),KSH117TF特别适合在中等功率高频开关系统中使用。此外,它也常用于汽车电子系统中的继电器驱动、灯光控制模块以及车载电源单元,能够承受较严苛的工作环境温度。 该晶体管还广泛应用于工业控制系统中的功率调节与信号放大环节,如PLC输出级驱动、电磁阀控制等。因其响应速度快、稳定性好,也可作为脉冲宽度调制(PWM)电路中的主开关元件。总体而言,KSH117TF是一款高性能、高可靠性的功率BJT,适用于对效率、散热和长期运行稳定性有较高要求的中高功率电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 100V 2A DPAK达林顿晶体管 PNP Silicon Darl |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Fairchild Semiconductor KSH117TF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSH117TF |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 40mA,4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 2A,3V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | KSH117TFDKR |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最大集电极截止电流 | 20 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 20µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | KSH117 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 零件号别名 | KSH117TF_NL |
| 频率-跃迁 | 25MHz |