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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5550LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5550LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBT5550LT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT5550LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT5550LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT5550LT3G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款表面贴装NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中高压晶体管。其典型应用场景包括: 1. 信号放大电路:由于具备较高的电流增益和频率响应,常用于音频放大器、前置放大级或小信号放大电路中,实现对微弱电信号的有效放大。 2. 开关控制:在电源管理、LED驱动、继电器控制等低功率开关电路中,作为电子开关使用,控制负载的通断,具有响应快、驱动能力强的优点。 3. 电源转换与稳压电路:在DC-DC转换器、线性稳压电源中用作串联调整管或辅助控制元件,适用于中等电压(最高VCEO达160V)工作环境。 4. 消费类电子产品:广泛应用于手机、平板、电视、机顶盒等设备中的逻辑接口电路或电平转换模块。 5. 工业与汽车电子:因其符合AEC-Q101车规认证并采用无铅环保封装(SOT-23),适合汽车电子控制系统如传感器接口、灯光控制模块等可靠性和稳定性要求较高的场合。 6. 便携式设备:低功耗特性使其适用于电池供电设备中的节能开关电路。 综上,MMBT5550LT3G凭借高电压耐受、小型化封装和高可靠性,广泛用于消费电子、汽车电子、工业控制等领域中的放大与开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 140V 600MA SOT-23两极晶体管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT5550LT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT5550LT3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.06 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 140V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MMBT5550L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 140 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 160 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.15 V |
| 集电极连续电流 | 600 mA |
| 频率-跃迁 | - |