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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJ11016G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJ11016G价格参考。ON SemiconductorMJ11016G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJ11016G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJ11016G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MJ11016G是一款高压大功率PNP型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于需要高可靠性和高功率处理能力的场景。其主要应用场景包括: 1. 音频放大器:MJ11016G常用于高保真音响设备和专业音频功放中,作为输出级晶体管,提供高电流增益和良好的线性性能,确保音频信号的清晰还原。 2. 电源管理与开关电路:由于具备较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO达300V)和较大的额定电流,该器件适用于高压开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统。 3. 工业控制与驱动电路:在电机驱动、继电器控制、工业自动化系统中,MJ11016G可用于高功率负载的开关控制,具有良好的稳定性和耐用性。 4. 测试与测量设备:在高精度测试仪器中,如电源负载模拟器或信号发生器中,该晶体管可作为关键的功率放大或调节元件。 5. 汽车电子系统:如车载音响、电动工具及辅助动力系统中,因其具备高耐压和良好热稳定性,适合复杂环境下的使用。 总之,MJ11016G凭借其高耐压、大电流能力和可靠性,适用于各种对性能和稳定性要求较高的功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 30A 120V TO3达林顿晶体管 30A 120V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJ11016G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJ11016G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 4V @ 300mA,30A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 20A,5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 其它名称 | MJ11016GOS |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 托盘 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | TO-204AA,TO-3 |
| 封装/箱体 | TO-204-2 (TO-3) |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 30 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 120V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 30A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200, 1000 |
| 系列 | MJ11016 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 集电极连续电流 | 30 A |
| 频率-跃迁 | 4MHz |