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- 型号： NSBA144EDXV6T5
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA144EDXV6T5由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA144EDXV6T5价格参考。ON SemiconductorNSBA144EDXV6T5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA144EDXV6T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA144EDXV6T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA144EDXV6T5 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=10kΩ、R2=10kΩ），采用SOT-563（SC-89）小型封装，含两个独立的NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor, DTA）。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如STM32、PIC、ESP32）GPIO口驱动LED、小功率继电器、蜂鸣器或光耦输入端，简化外围电路，省去外置基极限流电阻。 2. 信号开关与负载控制：在便携式设备（如TWS耳机充电仓、智能手环、IoT传感器节点）中，用作低功耗、高集成度的信号开关，控制LED指示灯、状态灯或小电流负载（≤100mA）。 3. 总线/通信线路保护与缓冲：在I²C、UART等低速数字总线上，提供电平整形、电流增强及隔离功能，提升抗干扰能力。 4. 空间受限的消费类电子：凭借超小尺寸（1.6×1.6×0.6mm）和AEC-Q101兼容设计（部分批次），亦适用于车载信息娱乐系统中的非安全关键信号调理。 该器件具备高增益（hFE=30–200）、低饱和压降（VCE(sat)≈0.3V @ 5mA）、ESD防护（HBM ±4kV）及-55℃~+150℃宽温工作范围，兼顾可靠性与设计简洁性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA144EDXV6T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA144EDXV6T5OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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