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- 型号： NP70N04MUG-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP70N04MUG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP70N04MUG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP70N04MUG-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP70N04MUG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP70N04MUG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP70N04MUG-S18-AY 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有70A连续漏极电流、40V耐压、低导通电阻（典型Rds(on) ≈ 3.8mΩ @ Vgs=10V）等特点。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于中大功率开关电源、BUCK/BOOST转换器的主开关管，尤其适用于通信电源、服务器电源模块等对效率和温升敏感的场合； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，如电动工具、风扇、家用电器中的驱动板； - 电池管理系统（BMS）：用作电池保护电路中的充放电控制开关，支持高电流通断与快速响应； - LED照明驱动：在恒流LED驱动电源中作为PWM调光开关或主功率开关； - 工业控制与自动化设备：如PLC输出模块、继电器替代方案、电磁阀/加热元件驱动等需要可靠通断与低损耗的场景。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、100% EAS（单脉冲雪崩能量）测试及符合RoHS标准，适合高可靠性、中高频（≤100kHz）开关应用。需注意合理设计PCB散热焊盘及栅极驱动电路（避免振荡与过压），以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 70A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP70N04MUG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tc） |
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