Datasheet下载- 型号： MRF7S19210HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19210HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19210HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19210HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19210HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19210HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19210HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.9–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：1930–1990 MHz 或 2110–2170 MHz），适用于高功率、高效率的无线通信基站发射链路。其主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站/微基站功率放大器（PA）：支持多载波信号（如 20–40 W 平均输出，峰值功率达 210 W），具备优异的线性度与ACLR性能，满足LTE-Advanced及5G NR对邻道泄漏比（ACLR）的严苛要求。 - WCDMA/HSPA+ 基站末级功放：在2.1 GHz频段下可实现>15%的平均效率（DPD配合下可达35%以上），支持高阶调制（如64-QAM）和宽带信号处理。 - 有源天线单元（AAU）与大规模MIMO系统：采用陶瓷封装（NI-780H-4L）与高热导率设计，适配紧凑型射频模块，支持连续波（CW）或脉冲工作模式。 - 通用宽带射频激励级/驱动级放大：在中等功率（数十瓦级）应用中可作为前级PA或推挽放大器核心器件。 该器件需配合NXP推荐的匹配电路、偏置网络及数字预失真（DPD）算法使用，广泛应用于电信设备商（如华为、爱立信、诺基亚）的基站射频子系统中。注意：非消费类器件，不适用于Wi-Fi、蓝牙或终端设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19210HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF7S19210HSR3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商