Datasheet下载- 型号： MRF7S18125BHSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S18125BHSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S18125BHSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S18125BHSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S18125BHSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S18125BHSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S18125BHSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.8–2.2 GHz 频段（典型工作频点：1.805–1.880 GHz 或 2.11–2.17 GHz）设计，额定输出功率达 125 W（连续波），具备高增益（典型16.5 dB）、高效率（典型65%）和优异的热稳定性。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站射频功放：广泛用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站、微基站及远端射频单元（RRU）的末级功率放大器（PA），支持多载波、高PAR信号（如OFDMA）的线性放大； - 无线基础设施设备：适用于中继器、分布式天线系统（DAS）及小基站（Small Cell）中的宽带射频发射链路； - 广播与通信系统：可用于航空通信（如L-band）、公共安全无线系统（如TETRA、P25）及军用战术电台的高可靠性射频发射模块； - 工业与科研领域：在射频加热、等离子体发生器、EMC测试场强放大等需稳定大功率射频源的场景中亦有应用。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持强制风冷或液冷散热，符合RoHS标准，具备良好的ESD防护和长期可靠性，适用于严苛环境下的连续高功率运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S18125BHSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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