【未分类_MRF5S21090HR5】封装/厂家_MRF5S21090HR5中文资料_价格

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型号： MRF5S21090HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21090HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21090HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21090HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF5S21090HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21090HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF5S21090HR5 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原始设计并量产，Fremont Micro Devices 并非其官方制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，工作频率达2.1–2.2 GHz，典型输出功率达90 W（连续波），适用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝/微蜂窝射频功率放大器。

主要应用场景包括：  
- 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站发射链路：作为末级功率放大器（PA），驱动2.1 GHz频段（如B1/B34/B39）的上行/下行信号；  
- 无线基础设施设备：如分布式基站（DAS）、小型基站（Small Cell）和远程射频单元（RRU）中的高效率线性功放模块；  
- 广播与专网通信系统：支持高增益、高线性度要求的宽带射频放大，满足ACLR和EVM等严苛通信标准；  
- 工业与科研射频源：用于EMC测试、等离子体激励或射频加热等中功率（~50–100 W）固态射频发生器。

该器件采用高热导率陶瓷封装（如NI-780H），支持风冷或底板散热，具备良好的热稳定性和长期可靠性，适用于7×24小时运行的通信基础设施环境。需配合匹配网络、偏置电路及数字预失真（DPD）技术以实现最优线性性能。  

（注：选型时请务必核实官方数据手册来源，建议以NXP原厂文档为准，避免因品牌标注误差导致技术参数误用。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF5S21090HR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	19W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14.5dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	850mA
频率	2.11GHz
额定电流	10µA