Datasheet下载- 型号： MMUN2112LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2112LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2112LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2112LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2112LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2112LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2112LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻（R1=10kΩ，R2=10kΩ），采用SOT-23小体积封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，将低电流、低电压（如3.3V/5V TTL/CMOS）信号转换为足够驱动LED、继电器、小型MOSFET栅极或光耦输入的开关信号。 2. 简易开关电路：因集成偏置电阻，无需外接基极电阻，简化PCB设计，适用于低成本、空间受限的消费电子（如遥控器、充电器状态指示灯、电池管理模块中的LED控制）。 3. 传感器信号调理前端：在低速、低精度传感系统中，用作光电二极管/热敏电阻等模拟信号的简单开关或缓冲级（如烟雾报警器中的蜂鸣器驱动）。 4. 替代传统分立BJT+电阻方案：提升生产良率与一致性，降低BOM数量和贴片成本，广泛用于家电控制板、工业I/O模块及通信设备的辅助功能电路。 注意：该器件不适用于高频（>100MHz）、大功率（Ic≤100mA）或精密线性放大场合。实际应用中需关注VCEO（50V）、IC（100mA）、hFE（35–50）等参数，并确保工作在饱和/截止区以发挥开关优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMUN2112LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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