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Datasheet下载- 型号： MMBT6515
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MMBT6515产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT6515由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT6515价格参考。Fairchild SemiconductorMMBT6515封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 25V 200mA 350mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MMBT6515参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT6515 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT6515 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 NPN 型双极结型晶体管（BJT），常用于通用开关和放大电路。其应用场景主要包括： 1. 开关电路：适用于数字电路中的开关元件，如驱动继电器、LED 和小型电机等负载。 2. 信号放大：用于音频信号或小功率模拟信号的放大，适合低频放大电路。 3. 电源管理：在电源控制电路中作为通断控制元件，如DC-DC转换器中的开关管。 4. 接口电路：用于微控制器与外围设备之间的电平转换和驱动能力增强。 5. 消费类电子产品：如家电、玩具、遥控器等产品中的低功率控制电路。 该晶体管采用SOT-23小外形封装，适合高密度PCB布局，具备良好的稳定性和性价比，适用于中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN GP SOT23两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT6515- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT6515 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 2mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBT6515CT |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 60 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 540 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50nA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 500 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 |
| 系列 | MMBT6515 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.2 A |
| 零件号别名 | MMBT6515_NL |
| 频率-跃迁 | - |
