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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSB1218A-RT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSB1218A-RT1G价格参考。ON SemiconductorMSB1218A-RT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSB1218A-RT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSB1218A-RT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MSB1218A-RT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23小型表面贴装封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有高电流增益和优异的开关特性,广泛应用于低电压、低功率场景。 典型应用场景包括: 1. 信号放大:用于音频或小信号放大电路,如前置放大器、传感器信号调理等; 2. 开关控制:在便携式消费电子产品中作为电子开关,控制LED指示灯、继电器或小型负载的通断; 3. 电源管理:用于DC-DC转换器、电压调节器中的驱动级或保护电路; 4. 便携设备:常见于智能手机、可穿戴设备、蓝牙耳机、物联网终端等对尺寸和功耗敏感的产品中; 5. 逻辑接口:实现不同电平逻辑间的信号转换与驱动。 MSB1218A-RT1G具备良好的热稳定性和可靠性,适合工业级温度范围工作,也适用于各类嵌入式控制系统和通信模块中的信号处理单元。其高性价比和小封装优势,使其成为现代电子设计中常用的通用晶体管之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP GP 100MA 45V SOT-323两极晶体管 - BJT 100mA 45V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MSB1218A-RT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MSB1218A-RT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 10mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 210 @ 2mA,10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 210 |
| 系列 | MSB1218A-RT1 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 45 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |