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  • 型号: BSP52,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BSP52,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP52,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP52,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP52,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 1.25W Surface Mount SOT-223。您可以下载BSP52,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP52,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BSP52,115 是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于中等功率开关和放大电路中。该器件具有较高的集电极电流(最高达1A)和良好的电流增益,适用于需要可靠开关性能的场景。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或继电器驱动,实现高效的电能控制。  
2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机的控制电路中作为开关元件,驱动电机启停或调速。  
3. LED驱动:适用于大功率LED的开关控制,尤其在工业照明或汽车照明系统中提供稳定电流驱动。  
4. 信号放大:在音频或低频信号处理电路中用作前置放大器或缓冲级。  
5. 工业控制与消费电子:如电磁阀控制、传感器接口、电源模块中的驱动级等。

BSP52,115采用SOT-223封装,具备良好的散热性能,适合紧凑型高密度PCB设计。其高可靠性与稳定性使其在汽车电子、工业设备和家用电器中广泛应用。此外,该器件符合RoHS标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造需求。

总之,BSP52,115是一款性能均衡、应用广泛的中功率NPN晶体管,特别适合需要高效开关和适度放大功能的中低频电路设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 80V 1000MA SOT223达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,NXP Semiconductors BSP52,115-

数据手册

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产品型号

BSP52,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.3V @ 500µA, 500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

2000 @ 500mA,10V

产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-6223-1

功率-最大值

1.25W

功率耗散

1.25 W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

200 MHz

最大直流电集电极电流

1 A

最大集电极截止电流

0.05 uA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

50nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

1000

配置

Single Dual Collector

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

90 V

集电极连续电流

1 A

零件号别名

BSP52 T/R

频率-跃迁

200MHz

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