Datasheet下载- 型号： MJB44H11G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJB44H11G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB44H11G价格参考。ON SemiconductorMJB44H11G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJB44H11G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJB44H11G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJB44H11G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它是一款大功率 NPN 晶体管，具有高电流处理能力和良好的热性能，适用于多种工业和电力电子应用。以下是 MJB44H11G 的主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - 在开关电源中，MJB44H11G 可用作功率开关或同步整流器驱动晶体管。其高电流能力使其适合处理大功率负载，同时保持较低的导通损耗。 2. 电机驱动与控制 - 该晶体管可用于驱动中小型直流电机或步进电机。通过调节基极电流，可以实现对电机转速和方向的精确控制。 - 在工业自动化领域，MJB44H11G 常用于控制电磁阀、继电器或其他需要大电流驱动的设备。 3. 音频功率放大器 - 在音频功放电路中，MJB44H11G 可作为输出级晶体管，提供足够的电流以驱动扬声器。其高电流增益和低饱和电压特性有助于提高音质和效率。 4. 负载切换与保护 - 用于高电流负载的切换和保护电路中，例如 LED 照明、加热元件或大功率电阻负载。其坚固的设计能够承受瞬态电流冲击和过载情况。 5. 逆变器与变频器 - 在逆变器和变频器中，MJB44H11G 可用于构建 H 桥电路或半桥电路，实现直流到交流的转换或频率调节。 6. 电池管理系统 (BMS) - 在电池充放电管理中，该晶体管可以用作电流控制器件，确保电池在安全范围内工作。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，MJB44H11G 能够驱动各种负载，如车灯、风扇电机、雨刷电机等。其耐高温和抗干扰能力强，非常适合车载环境。 总结 MJB44H11G 的典型应用场景包括但不限于开关电源、电机驱动、音频放大、负载切换、逆变器、变频器以及汽车电子等领域。其高电流容量（集电极电流可达 15A）、高电压耐受能力（集电极-发射极电压为 80V）以及出色的散热性能，使其成为许多功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PWR NPN 10A 80V D2PAK两极晶体管 - BJT 8A 80V 50W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJB44H11G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJB44H11G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 400mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 4A，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | MJB44H11GOS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263-3 (D2PAK) |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MJB44H11 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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