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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的MJD44H11-001是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高电压、高电流功率晶体管。该器件主要设计用于需要高可靠性和高功率处理能力的应用场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和稳压电源中,作为功率开关或调整元件,支持高效能电能转换。 2. 电机驱动:广泛用于工业控制、家用电器和汽车电子中的小型电机驱动电路,能够承受较高的启动电流和反向电动势。 3. 照明系统:可用于高强度放电灯(HID)、LED驱动电源等大功率照明控制电路中,实现稳定开关与调光功能。 4. 过载与保护电路:因其具备较高的击穿电压(VCEO达100V)和集电极电流(可达6A),适合用作继电器驱动、过流保护和电源切换装置。 5. 汽车电子:在汽车点火系统、风扇电机控制、车灯控制模块中表现优异,满足严苛的车载环境要求。 MJD44H11-001具有优良的饱和特性与热稳定性,采用SOT-223封装,便于散热,适用于紧凑型高功率密度设计。其高增益和快速响应能力也使其在模拟放大和数字开关应用中具备良好性能。 综上,该型号适用于工业控制、消费电子、汽车电子及电源系统中需要高电压、大电流开关控制的场合,是一款可靠且广泛应用的功率BJT器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PWR NPN 8A 80V STR IPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MJD44H11-001 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | MJD44H11-001OS |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 频率-跃迁 | 85MHz |