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Datasheet下载- 型号： MMBT3904FA-7B
- 制造商： Diodes Inc.
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MMBT3904FA-7B产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT3904FA-7B由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT3904FA-7B价格参考。Diodes Inc.MMBT3904FA-7B封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 435mW Surface Mount X2-DFN0806-3。您可以下载MMBT3904FA-7B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT3904FA-7B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TDK Corporation的MMBT3904FA-7B是一款SOT-23封装的NPN型通用双极结型晶体管（BJT），基于标准2N3904设计，具有高可靠性与优良的开关/放大性能。其典型应用场景包括： 1. 小信号开关应用：广泛用于数字逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制及微控制器I/O口扩展电路中，支持高达200mA的集电极电流（IC），开关速度快（tON/tOFF约数十纳秒）； 2. 低噪声前置放大：适用于音频前端、传感器信号调理（如温度、光敏、霍尔传感器输出放大）、无线接收模块中的射频/中频小信号放大（fT ≈ 300MHz），具备良好增益一致性（hFE：100–300）； 3. 电源管理辅助电路：常用于LDO使能控制、电池电压检测、过压保护电路中的基准开关或比较器输出驱动级； 4. 消费电子与工业控制：见于智能手机周边电路、智能穿戴设备、家用电器（如空调/洗衣机主控板）、PLC输入模块等对尺寸、成本和可靠性要求较高的场景。 该器件符合AEC-Q200（汽车级）可靠性标准（部分批次），支持-55℃~+150℃工作温度范围，具备ESD防护（HBM ≥ 2kV），适合自动化贴片生产。需注意其为通用型器件，不适用于大功率或高频振荡主电路，设计时应合理设置基极限流电阻并避免饱和深度过大以保障响应速度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 40V 200MA X2-DFN0806-3两极晶体管 - BJT 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMBT3904FA-7B- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT3904FA-7B |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | MMBT3904FA-7BDICT |
| 功率-最大值 | 435mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | X2-DFN0806-3 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 435 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 10 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 at 100 mA at 1 V |
| 系列 | MMBT3904 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
| 集电极连续电流 | 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
