Datasheet下载- 型号： 2SB1132T100Q
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1132T100Q由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1132T100Q价格参考￥0.39-￥0.74。ROHM Semiconductor2SB1132T100Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SB1132T100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1132T100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SB1132T100Q是一款PnP型双极结型晶体管（BJT），适用于中功率放大和开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（如TUM-6或类似），具有良好的热稳定性和可靠性，适合高密度印刷电路板设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、电压调节器中的开关控制，实现高效电能转换； 2. 驱动电路：广泛应用于继电器、LED、电机等负载的驱动控制，尤其在需要中等电流开关能力的场合； 3. 信号放大：在音频设备或传感器信号调理电路中作为前置放大器使用； 4. 消费类电子产品：如电视、音响、家用电器中的控制模块； 5. 工业控制：用于PLC模块、传感器接口和小型执行器控制。 2SB1132T100Q具备较高的直流电流增益和较低的饱和压降，有助于提升系统效率并减少发热。其高可靠性和紧凑封装特别适合空间受限且对稳定性要求较高的应用环境。此外，该型号通过了AEC-Q101车规认证，也可用于汽车电子系统，如车身控制模块、车内照明驱动等。 综上，2SB1132T100Q是一款性能稳定的PnP BJT，广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域，适用于中小功率开关与放大任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 32V 1A SO-89两极晶体管 - BJT PNP 32V 1A SO-89 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1132T100Q- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1132T100Q |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 100mA，3V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SB1132T100QDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 32V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 32 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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