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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BCW65CLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCW65CLT1G价格参考。ON SemiconductorBCW65CLT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BCW65CLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCW65CLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCW65CLT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它常用于中频放大、开关电路和通用模拟电路中。 该晶体管采用SOT-23封装,适合高频率应用,具备良好的增益特性和较快的开关速度,因此广泛应用于以下场景: 1. 射频(RF)和中频放大器:适用于通信设备中的信号放大,如无线基站、广播接收器等; 2. 数字开关电路:在逻辑控制电路中作为高速开关使用; 3. 音频放大电路:用于前置放大器或小型音频系统中的信号处理; 4. 传感器接口电路:用于信号调节与放大; 5. 电源管理电路:作为稳压电路或电流控制元件的一部分。 由于其良好的性能和小封装形式,BCW65CLT1G 也常用于便携式电子产品和高密度PCB设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCW65CLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BCW65CLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 250 @ 100mA,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | BCW65CLT1G-ND |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.8 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 32V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 800mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 20nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | BCW65AL |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 32 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.7 V |
| 集电极连续电流 | 0.8 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |