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  • 型号: MJE15029G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MJE15029G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJE15029G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE15029G价格参考。ON SemiconductorMJE15029G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 120V 8A 30MHz 50W 通孔 TO-220AB。您可以下载MJE15029G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE15029G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJE15029G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型高频功率晶体管。该器件常用于需要高频率和中等功率处理能力的电路设计中。

 主要应用场景包括:

1. 射频(RF)放大器:MJE15029G具有良好的高频特性,适用于VHF、UHF等射频信号放大电路,广泛应用于无线通信设备、广播发射机等。

2. 功率放大器:在音频或射频系统中作为末级或中间级功率放大元件,适合用于要求较高输出功率与效率的场合。

3. 开关电路:由于其具备较快的开关速度,可用于高频开关电源或数字控制电路中的功率开关元件。

4. 工业控制设备:如变频器、电机驱动器等工业自动化设备中,作为功率驱动器件使用。

5. 消费类电子产品:如电视、音响功放、无线麦克风等产品中,用于信号增强或功率输出部分。

该晶体管采用TO-220封装,易于散热,适用于通孔安装,适合多种应用场景。其高可靠性和性价比使其成为许多中功率高频应用的首选器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS POWER PNP 8A 120V TO220AB两极晶体管 - BJT 8A 120V 50W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE15029G-

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产品型号

MJE15029G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

20 @ 4A,2V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

MJE15029GOS

功率-最大值

50W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

30 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

50 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

8 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

120V

电流-集电极(Ic)(最大值)

8A

电流-集电极截止(最大值)

100µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

40

系列

MJE15029

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

120 V

集电极—基极电压VCBO

120 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

8 A

频率-跃迁

30MHz

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