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  • 型号: BC546CTA
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC546CTA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC546CTA价格参考。Fairchild SemiconductorBC546CTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC546CTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC546CTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BC546CTA 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 NPN 型双极结型晶体管(BJT),属于 BC546 系列。该型号广泛应用于各种低功率模拟和数字电路中,其典型应用场景包括但不限于以下几类:

 1. 开关应用
   - 继电器驱动:用于控制继电器的通断,通过小电流信号控制大电流负载。
   - LED 驱动:驱动小型 LED,调节亮度或实现开关功能。
   - MOSFET 驱动:作为前置放大器,驱动 MOSFET 栅极以控制更大的负载。

 2. 信号放大
   - 音频放大:在低功率音频放大器中用作前置放大级,放大弱信号。
   - 传感器信号放大:放大来自温度、压力或其他传感器的微弱信号,以便后续处理。

 3. 电平转换
   - 在逻辑电平转换中,用于将低电压信号(如 MCU 输出)转换为更高的电压或电流信号,以驱动外部设备。

 4. 保护电路
   - 过流保护:设计在电路中检测过流情况并切断电源。
   - 逆向电压保护:防止因电源极性接反导致的设备损坏。

 5. 脉宽调制 (PWM) 控制
   - 在 PWM 电路中,BC546CTA 可用于调节电机速度、灯光亮度或加热元件的功率。

 6. 振荡器和定时电路
   - 用于构建多谐振荡器、单稳态触发器等电路,生成周期性信号或延时功能。

 7. 无线通信相关
   - 在低频射频电路中,可用作简单的调制或解调电路的一部分。

 特性总结
BC546CTA 的主要特性包括:
- 最大集电极电流(Ic):100mA
- 最大发射极-基极电压(Veb):6V
- 最大集电极-发射极电压(Vce):50V
- hFE(电流增益)范围:110~800

这些特性使其非常适合于低功率、低电压的应用场景。需要注意的是,在实际使用中应根据具体电路需求选择合适的偏置条件,并确保工作参数在晶体管的安全工作区内。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 65V 100MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN 65V 100mA HFE/800

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BC546CTA-

数据手册

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产品型号

BC546CTA

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

420 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

BC546CTACT

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

240 mg

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Ammo Pack

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3 Kinked Lead

工厂包装数量

2000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

0.5 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

65V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流电流增益hFE最大值

800

直流集电极/BaseGainhfeMin

110

系列

BC546

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

65 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极—射极饱和电压

200 mV

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

300MHz

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