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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KSH210TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSH210TF价格参考。Fairchild SemiconductorKSH210TF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载KSH210TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSH210TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSH210TF是ON Semiconductor推出的一款高压、高频率NPN双极性晶体管(BJT),适用于需要高功率处理能力和优异开关性能的场景。该器件采用TO-263(D²PAK)表面贴装封装,具有良好的热性能和可靠性,适合自动化生产。 KSH210TF主要应用于高电压开关电路中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器和电源管理模块等。其高击穿电压(VCEO达500V)和高集电极电流能力(连续电流可达3A)使其在工业电源系统中表现优异。此外,该晶体管具备较高的增益和快速开关特性,适用于高频工作环境,例如照明镇流器、电子安定器以及感应加热设备。 由于其坚固的结构设计和优良的热稳定性,KSH210TF也广泛用于工业控制、电机驱动和消费类大功率电子产品中。在空调、洗衣机、电磁炉等家用电器的功率控制电路中,该器件可实现高效、可靠的开关操作。 综上所述,KSH210TF凭借其高压、大电流、高可靠性和良好散热性能,成为工业电源、电力电子和家电领域中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 25V 5A DPAK两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSH210TF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSH210TF |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.8V @ 1A,5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 45 @ 2A,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | KSH210TFCT |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 8 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 65 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 12.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 180 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 45 |
| 系列 | KSH210 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 1.8 V |
| 集电极连续电流 | - 5 A |
| 频率-跃迁 | 65MHz |