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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS12200WT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS12200WT1G价格参考。ON SemiconductorNSS12200WT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSS12200WT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS12200WT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NSS12200WT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23封装,具有高可靠性与小型化特点。该器件主要适用于低电压、低电流的信号放大与开关应用。 典型应用场景包括:便携式电子设备中的逻辑电平转换、LED驱动开关、小信号放大电路;在电源管理电路中用于负载开关或基准电压控制;还可广泛用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的微弱信号开关控制。此外,因其良好的开关特性与稳定的性能,也常用于各类传感器接口电路、继电器驱动、马达控制的小功率开关模块中。 NSS12200WT1G具备低饱和压降和较低的连续集电极电流(最高约100mA),适合电池供电设备以降低功耗、提升能效。其无铅、符合RoHS标准的设计,满足现代电子产品环保要求。总体而言,该型号适用于对空间和功耗敏感的中低频模拟与数字开关电路,是中小型电子系统中理想的通用开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 2A 12V SC-88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NSS12200WT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 290mV @ 20mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 800mA,1.5 V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=18613 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | NSS12200WT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 450mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |