Datasheet下载- 型号： FMMT6517TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMMT6517TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMT6517TA价格参考￥0.53-￥0.53。Diodes Inc.FMMT6517TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FMMT6517TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMMT6517TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMMT6517TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单型号。其主要应用场景包括： 1. 信号放大：FMMT6517TA 适合用于音频和射频信号的低噪声放大。它具有较低的噪声系数和较高的增益，适用于需要高质量信号放大的场景，例如无线通信设备、音频前置放大器等。 2. 开关应用：该晶体管可以作为开关元件使用，适用于数字电路中的信号切换。其快速的开关速度使其在高频应用中表现良好，如高速数据传输接口或脉冲宽度调制 (PWM) 控制电路。 3. 射频 (RF) 应用：由于其优良的高频特性，FMMT6517TA 常被用于射频电路设计，如无线模块、蓝牙设备、Wi-Fi 模块和其他无线通信系统中的功率放大器或混频器。 4. 低功耗设备：该晶体管具有较低的静态电流（ICC），非常适合应用于低功耗设计，如便携式电子设备、电池供电的传感器节点或物联网 (IoT) 设备。 5. 振荡器和混频器：在高频振荡器和混频器电路中，FMMT6517TA 的高频率性能和稳定性能够提供可靠的信号处理能力。 6. 消费电子产品：广泛应用于各种消费类电子产品，例如手机、平板电脑、耳机放大器、遥控器等，以实现信号增强或控制功能。 总之，FMMT6517TA 凭借其优异的高频特性和低噪声性能，在通信、音频处理、低功耗设计等领域有着广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN HV 350V SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN High Voltage |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FMMT6517TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMMT6517TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 50mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | FMMT6517CT |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 330 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 20 at 1 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 at 1 mA at 10 V, 30 at 10 mA at 10 V, 30 at 30 mA at 10 V, 20 at 50 mA at 10 V, 15 at 100 mA at 10 V |
| 系列 | FMMT6517 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 350 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 350 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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