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Datasheet下载- 型号： KSH200TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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KSH200TF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSH200TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSH200TF价格参考。Fairchild SemiconductorKSH200TF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 25V 5A 65MHz 1.4W 表面贴装 D-Pak。您可以下载KSH200TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSH200TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSH200TF是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压、大电流NPN双极结型晶体管（BJT），主要应用于高功率和高电压场景。其具备高达1200V的集射极耐压（VCEO）和8A的连续集电极电流能力，适合在高电压开关和功率放大电路中使用。 典型应用场景包括工业电机驱动、电源开关系统、逆变器和UPS（不间断电源）等电力电子设备。由于其高耐压特性，常用于高压直流-交流（HVAC）转换系统中的功率开关元件。此外，KSH200TF也广泛应用于荧光灯镇流器、高压电源模块以及感应加热系统中，作为核心的开关或放大器件。 该器件采用TO-264封装，具有良好的热传导性能，适合在高温环境下稳定工作，因此在需要高可靠性和耐久性的工业与能源领域尤为受欢迎。同时，其快速开关能力和高增益特性有助于提高系统效率并减少能量损耗。 总之，KSH200TF适用于高电压、大电流条件下的开关与功率控制应用，尤其适合工业自动化、能源转换及高压照明等对稳定性要求严苛的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 25V 5A DPAK两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSH200TF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSH200TF |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.8V @ 1A，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 45 @ 2A，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | KSH200TFDKR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 8 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 65 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 12.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 180 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 45 |
| 系列 | KSH200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 65MHz |
