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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PZTA14,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZTA14,115价格参考。NXP SemiconductorsPZTA14,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PZTA14,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PZTA14,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZTA14,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型达林顿晶体管(双极性晶体管),具有高电流增益(hFE 典型值达 10,000)、中等电压(VCEO = 30 V)、连续集电极电流可达 500 mA,采用 SOT-223 表面贴装封装,适合自动化贴片生产。 其典型应用场景包括: ✅ 继电器/电磁阀驱动:利用达林顿结构的高增益特性,可用微弱MCU GPIO信号(如3.3V/5V)直接驱动较大负载; ✅ LED/LCD背光驱动:适用于中功率LED阵列或小型LCD背光控制; ✅ 电源管理中的开关与稳压辅助电路:如线性稳压器的调整管、过流保护检测开关; ✅ 工业控制接口电路:作为PLC输出级缓冲器或传感器信号放大/电平转换; ✅ 消费电子中的电机控制:驱动小型直流电机(如风扇、玩具马达)或步进电机细分驱动中的相位开关。 该器件内置基极-发射极电阻(RBE = 10 kΩ),可提高开关速度并增强抗干扰能力,简化外围设计。需注意其饱和压降较高(VCE(sat) ≈ 1.5 V @ IC=100mA),不适合超低功耗或高压降敏感场合。整体定位为通用中功率开关应用,兼顾性能、成本与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 30V 500MA SOT223达林顿晶体管 NPN 30V 500mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,NXP Semiconductors PZTA14,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZTA14,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 100µA, 100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20000 @ 100mA,5V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 933982050115 |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 配置 | Single Dual Collector |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 零件号别名 | PZTA14 T/R |
| 频率-跃迁 | 125MHz |