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KSD363RTU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KSD363RTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSD363RTU价格参考。Fairchild SemiconductorKSD363RTU封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 120V 6A 10MHz 40W 通孔 TO-220-3。您可以下载KSD363RTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSD363RTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSD363RTU是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号的晶体管通常应用于以下场景: 1. 开关电路:KSD363RTU可以作为电子开关,用于控制其他设备的通断状态。例如,在继电器驱动、LED驱动或小型电机控制中,它能够实现高效的开关功能。 2. 信号放大:该晶体管适用于低噪声和高增益的信号放大应用,如音频前置放大器、传感器信号调理电路等。其优异的电流增益性能使得它在需要精确信号放大的场合表现出色。 3. 电源管理:在一些简单的线性稳压器或电流调节电路中,KSD363RTU可以用作关键元件来稳定输出电压或电流。此外,它也可以参与过流保护电路的设计。 4. 通信设备:由于其良好的频率响应特性,KSD363RTU适合用于通信系统中的调制解调、混频以及振荡等功能模块。 5. 消费电子产品:从家用电器到便携式设备,这款晶体管广泛应用于各种消费类电子产品中,如遥控器、玩具、音响设备等。 6. 工业自动化:在工业领域,KSD363RTU可用于构建PLC输入/输出接口、过程控制单元中的信号处理部分以及其他需要可靠性和稳定性的工业级应用。 总之,KSD363RTU凭借其特定的电气参数和性能特点,在众多需要中小功率处理能力的应用场景中发挥重要作用。选择具体应用场景时,需根据实际需求考虑其最大集电极电流、最大集电极-发射极电压、功耗及工作温度范围等因素。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR NPN 120V 6A TO-220两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSD363RTU- |
数据手册 | |
产品型号 | KSD363RTU |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 1A,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
发射极-基极电压VEBO | 8 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 10 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 40000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 120V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 6A |
电流-集电极截止(最大值) | 1mA (ICBO) |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
系列 | KSD363 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
集电极—基极电压VCBO | 300 V |
频率-跃迁 | 10MHz |