Datasheet下载- 型号： FES8BTHE3/45
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FES8BTHE3/45由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FES8BTHE3/45价格参考。VishayFES8BTHE3/45封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FES8BTHE3/45参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FES8BTHE3/45 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的型号 FES8BTHE3/45 是一款肖特基整流二极管，属于单个整流器类型。以下是其主要应用场景及特点： 1. 电源管理 - 直流-直流转换器：该二极管适用于开关模式电源（SMPS）中的同步整流或续流二极管功能，用于提高效率和降低功耗。 - 线性电源：在低电压、高电流的线性电源设计中，肖特基二极管因其低正向压降（典型值约为0.3V）而减少功率损耗。 2. 电池充电与保护 - 反向电池保护：利用二极管的单向导电特性，防止电池极性接反导致设备损坏。 - 充电电路隔离：在充电电路中，防止电流回流到充电器或电池。 3. 电机驱动与控制 - 续流二极管：在感应负载（如电机或继电器）的驱动电路中，用于释放感应回路产生的反向电动势，保护开关器件（如MOSFET或IGBT）。 - 逆变器电路：在交流-直流转换或逆变器应用中，作为输出整流元件。 4. 太阳能与可再生能源系统 - 太阳能板旁路保护：在光伏模块中，防止阴影或故障导致的电流倒流，保护其他正常工作的太阳能板。 - 能量采集电路：用于低电压能量采集系统，将微弱电流高效整流并存储到储能设备中。 5. 通信与消费电子 - 信号整流：在高频信号处理中，用于整流小信号或检测射频（RF）信号。 - USB充电保护：在便携式设备中，防止过流或反向电流对设备造成损害。 特点总结： - 额定电流：8A，适合中等功率应用。 - 最大反向电压：45V，适用于低压系统。 - 低正向压降：减少功率损耗，提高系统效率。 - 快速恢复时间：支持高频开关应用。 - 紧凑封装：TO-252 (DPAK) 封装，节省空间，适合表面贴装设计。 综上，FES8BTHE3/45 主要应用于需要高效整流、低功耗和快速响应的场景，广泛用于工业、汽车、消费电子和通信领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE UFAST 100V 8A TO220AC整流器 100 Volt 8.0A 35ns Single |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors FES8BTHE3/45- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FES8BTHE3/45FES8BTHE3/45 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 950mV @ 8A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 100V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Ultra Fast Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-220AC |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 35ns |
| 反向电压 | 100 V |
| 反向电流IR | 10 uA |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 封装/箱体 | TO-220-2 |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 恢复时间 | 35 ns |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 125 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电压下降 | 0.95 V |
| 正向连续电流 | 8 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 100V |
| 电流-平均整流(Io) | 8A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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