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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1150KV18-400BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1150KV18-400BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1150KV18-400BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1150KV18-400BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1150KV18-400BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1150KV18-400BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1150KV18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、18位数据总线、512K×18结构（共9Mb）的QDR-II+ SRAM。其最大工作频率达400MHz（200MHz双倍数据率，即400MT/s），具有低延迟、高带宽和双端口读/写特性。 主要应用场景包括： - 网络通信设备：用于路由器、交换机、防火墙中的高速缓存、包缓冲、FIFO及查找表（如TCAM辅助缓存），满足线速数据处理对纳秒级访问延迟的要求； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中作为DSP或FPGA的外挂高速缓存，支撑实时信号处理与数据流暂存； - 测试测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪等需大容量、高速采集缓冲的设备； - 军事与航空电子系统：因该器件支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及高可靠性设计，适用于抗干扰、实时性严苛的嵌入式控制系统。 注：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），Cypress官方建议转向英飞凌后续兼容方案（如QDR-IV系列）或评估替代架构（如高速DDR3/DDR4+控制器方案），但现有系统仍广泛部署于上述领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49122 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1150KV18-400BZXC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=47160 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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