Datasheet下载- 型号： CY62137FV30LL-45ZSXAT
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY62137FV30LL-45ZSXAT由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY62137FV30LL-45ZSXAT价格参考。Cypress SemiconductorCY62137FV30LL-45ZSXAT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY62137FV30LL-45ZSXAT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY62137FV30LL-45ZSXAT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY62137FV30LL-45ZSXAT 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌科技）推出的一款高速、低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为2 Mbit（256K × 8），采用3.3V供电，访问时间仅45ns，封装为44-pin TSOP II（ZSXAT后缀表示无铅、符合RoHS、工业级温度范围–40°C至+85°C）。 该器件主要面向对可靠性、速度与宽温适应性要求较高的嵌入式系统场景，典型应用包括： - 工业自动化设备中的PLC模块、运动控制器及人机界面（HMI），用于暂存实时运行数据与缓冲指令； - 网络通信设备（如交换机、路由器、光模块）中作为MAC层或协议栈的高速缓存/帧缓冲； - 医疗电子设备（如便携式监护仪、影像采集前端），满足工业级温度与长期稳定运行需求； - 汽车电子中的车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）辅助存储（非安全关键路径），支持AEC-Q200兼容设计（需结合具体批次认证确认）； - 测试测量仪器（如示波器、逻辑分析仪）中用作深度数据采集缓存。 其低功耗特性（待机电流典型值＜1µA）也适用于电池供电的边缘节点设备。需注意：该型号已进入Cypress产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌推荐替代型号（如S27KL0641系列等）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 2MBIT 45NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=47651 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY62137FV30LL-45ZSXAT |
| PCN封装 | http://www.cypress.com/?docID=47155 |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47161http://www.cypress.com/?docID=48124 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MoBL® |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 2M （128K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.2 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 45ns |
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