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- 型号： BZX84C3V3ET3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C3V3ET3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C3V3ET3G价格参考。ON SemiconductorBZX84C3V3ET3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZX84C3V3ET3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84C3V3ET3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C3V3ET3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的SOT-23封装、标称稳压值为3.3V的齐纳二极管，典型容差±5%，最大功率耗散300mW。其主要应用场景包括： 1. 低功耗电压基准与稳压：为微控制器（MCU）、传感器、ADC/DAC等提供稳定参考电压，适用于电池供电设备（如IoT节点、可穿戴设备）中对成本和尺寸敏感的3.3V基准需求。 2. 过压保护与ESD钳位：常用于I/O端口或信号线（如UART、I²C总线）前端，配合限流电阻，将瞬态电压钳位于≈3.3V，防止后级芯片（如3.3V逻辑器件）因浪涌或静电损坏。 3. 电源轨监测与复位电路：配合比较器或专用复位IC，实现3.3V电源上电/掉电检测，保障系统可靠启动与异常关断。 4. 低成本分立稳压方案：在小电流负载（<10mA）场景下（如LED偏置、偏置网络），替代低压差稳压器（LDO），简化设计、降低成本与PCB面积。 该器件具备优良的温度稳定性（TC ≈ ±0.05%/°C）和成熟可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子（非安全关键模块）及通信模块中。需注意：仅适用于小电流、低精度稳压场合；大电流或高精度应用建议选用基准电压源（如TL431）或LDO。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZX84C3V3ET3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 欧姆 |
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