【未分类_AFT23S170-13SR3】封装/厂家_AFT23S170-13SR3中文资料_价格

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型号： AFT23S170-13SR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供AFT23S170-13SR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT23S170-13SR3价格参考。Freescale SemiconductorAFT23S170-13SR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载AFT23S170-13SR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT23S170-13SR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

AFT23S170-13SR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.3–2.7 GHz频段（如2.3–2.4 GHz、2.5–2.7 GHz）设计，典型应用包括：  
• 5G Sub-6 GHz 基站功率放大器（PA）：适用于大规模MIMO有源天线单元（AAU）和小型基站（Small Cell），支持高效率、高线性度的TDD/FDD通信；  
• 宽带无线接入系统：如WLAN 802.11ax/ax-be（Wi-Fi 6E/7）基站、固定无线接入（FWA）终端中的射频末级功放；  
• 工业与专网通信设备：包括公共安全宽带集群（如TETRA演进系统）、专用LTE/5G专网基站；  
• 测试与测量仪器：作为信号源或功放模块，用于射频一致性测试、EMC预兼容测试等场景。  

该器件采用高热导率封装（如NI-780H），支持13W连续波（CW）输出，具备优异的增益（典型17 dB）、高功率附加效率（PAE >50%）、良好线性度（满足ACLR要求）及内置ESD保护，适合高可靠性、紧凑型射频前端设计。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。

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