【二极管 - 整流器 - 单_1N5818-T】封装/厂家_1N5818-T中文资料_价格

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型号： 1N5818-T
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5818-T由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5818-T价格参考￥0.28-￥0.41。Diodes Inc.1N5818-T封装/规格：二极管 - 整流器 - 单，肖特基通孔二极管 30V 1A DO-41。您可以下载1N5818-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5818-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5818-T 是由 Diodes Incorporated 生产的一款肖特基二极管，属于二极管 - 整流器 - 单类别。该型号的二极管具有低正向电压降、快速恢复时间等特性，使其在多种应用场景中表现出色。

 应用场景：

1. 电源整流：
   1N5818-T 常用于低压直流电源电路中的整流应用。由于其低正向电压降（典型值为0.3V），可以有效减少功率损耗，提高电源转换效率。适用于开关电源、线性电源等场合。

2. 续流保护：
   在开关电源和电机驱动电路中，1N5818-T 可以作为续流二极管使用。当电感元件（如变压器、电机绕组）突然断开时，二极管能够迅速导通，释放储存的能量，防止电压尖峰损坏其他元件。

3. 反向电压保护：
   该二极管可以用于防止电源极性接反的情况。通过串联在电源输入端，确保即使电源极性错误连接，也不会对后续电路造成损害。

4. 太阳能电池板旁路：
   在太阳能光伏系统中，1N5818-T 可以作为旁路二极管使用。当某块太阳能电池板因阴影遮挡或其他原因无法正常工作时，旁路二极管会自动导通，避免整个光伏阵列的电流被阻断，从而提高系统的整体效率。

5. 信号隔离与保护：
   在某些通信和控制电路中，1N5818-T 可以用于信号隔离或保护敏感电路免受过压冲击。例如，在RS-485通信接口中，二极管可以防止静电放电（ESD）和其他瞬态电压对芯片造成损害。

6. LED驱动电路：
   由于其快速响应特性和低功耗，1N5818-T 也常用于LED驱动电路中，特别是在需要高效能和高可靠性的照明系统中。

总之，1N5818-T 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备和系统中，特别是在需要高效整流、保护和信号处理的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41肖特基二极管与整流器 Vr/30V Io/1A T/R
产品分类	单二极管/整流器分离式半导体
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated 1N5818-T-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	1N5818-T
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
不同If时的电压-正向(Vf)	550mV @ 1A
不同 Vr、F时的电容	110pF @ 4V，1MHz
不同 Vr时的电流-反向漏电流	1mA @ 30V
二极管类型	肖特基
产品	Schottky Rectifiers
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	肖特基二极管与整流器
供应商器件封装	DO-41
其它名称	1N5818CT 1N5818CT-ND 1N5818DICT
包装	剪切带（CT）
反向恢复时间(trr)	-
商标	Diodes Incorporated
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Reel
封装/外壳	DO-204AL，DO-41，轴向
封装/箱体	DO-41
峰值反向电压	30 V
工作温度-结	-65°C ~ 125°C
工作温度范围	- 65 C to + 125 C
工厂包装数量	5000
技术	Silicon
最大反向漏泄电流	1000 uA
最大工作温度	+ 125 C
最大浪涌电流	25 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
正向电压下降	0.875 V at 3 A
正向连续电流	1 A
热阻	50°C/W Ja
电压-DC反向(Vr)（最大值）	30V
电流-平均整流(Io)	1A
系列	1N5818
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
配置	Single