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- 型号： 6116LA35SO
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供6116LA35SO由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 6116LA35SO价格参考。Integrated Device Technology6116LA35SO封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载6116LA35SO参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有6116LA35SO 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的6116LA35SO是一款16K×1位（即2KB容量）高速CMOS静态RAM（SRAM），采用24引脚SOIC封装，存取时间典型值为35ns，工作电压为+5V。其主要应用场景包括： - 嵌入式系统缓存与数据暂存：用于微控制器、DSP或FPGA外围的高速数据缓冲，如工业控制板、通信模块中的临时变量存储或状态寄存器备份。 - 老式计算机与仪器仪表：常见于8位/16位时代设备（如早期单板机、测试仪器、数控设备）中作为主RAM或显示缓存，因其兼容标准6116时序，可替代升级老旧系统中的同类SRAM。 - 实时数据采集系统：在A/D采样前端配合MCU使用，提供低延迟、无需刷新的可靠数据暂存，适用于示波器、数据记录仪等对读写确定性要求高的场景。 - 军事与航空电子（因器件具备宽温/高可靠性版本）：虽6116LA35SO为商用级，但IDT同系列器件常衍生出工业/军温版本，曾用于对稳定性有要求的航电子系统或加固计算机中。 需注意：该型号已停产多年，现多用于设备维修、备件替换或教学演示；设计新项目时不推荐选用，应考虑现代低功耗、更高密度的SRAM或集成内存方案。
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