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  • 型号: 2SB1260T100Q
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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2SB1260T100Q产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1260T100Q由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1260T100Q价格参考¥0.96-¥0.96。ROHM Semiconductor2SB1260T100Q封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 1A 100MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SB1260T100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1260T100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ROHM Semiconductor生产的2SB1260T100Q是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号主要应用于以下场景:

 1. 功率放大器
   - 2SB1260T100Q具有较高的电流增益和耐压能力,适合用于音频功率放大器中,能够提供稳定的信号放大功能。
   - 应用于家用音响设备、汽车音响系统或专业音频设备中。

 2. 开关电路
   - 在需要高可靠性开关的电路中,这款晶体管可以作为开关元件使用,例如继电器驱动、电机控制等场景。
   - 其高耐压特性使其能够在高压环境下稳定工作。

 3. 电源管理
   - 该晶体管可用于线性稳压器或其他电源管理电路中,实现电压调节或电流控制功能。
   - 在一些工业设备或通信设备的电源模块中,该型号可能被用作关键的功率处理元件。

 4. 工业自动化
   - 在工业控制系统中,2SB1260T100Q可以用于驱动负载,如电磁阀、步进电机等。
   - 其耐高温和高可靠性的特点使其非常适合在工业环境中长期运行。

 5. 通信设备
   - 该晶体管可应用于射频(RF)或中频(IF)信号放大器中,支持通信设备中的信号处理。
   - 特别是在基站、无线通信模块或卫星通信设备中,该型号可能被用作高性能放大元件。

 6. 医疗设备
   - 在医疗设备中,如监护仪、超声波设备等,2SB1260T100Q可用于信号放大或电源管理部分,确保设备的稳定性和精确性。

 总结
2SB1260T100Q凭借其优异的电气性能和稳定性,广泛应用于需要高功率、高频率和高可靠性的电子设备中。无论是消费类电子产品还是工业级应用,这款晶体管都能提供出色的性能表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP 80V 1A SO-89两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A SO-89

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1260T100Q-

数据手册

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产品型号

2SB1260T100Q

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 100mA,3V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

MPT3

其它名称

2SB1260T100QCT

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

0.5 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

390

直流集电极/BaseGainhfeMin

82

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 80 V

集电极—基极电压VCBO

- 80 V

集电极连续电流

- 1 A

频率-跃迁

100MHz

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