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  • 型号: 2STR1160
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2STR1160由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2STR1160价格参考。STMicroelectronics2STR1160封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2STR1160参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2STR1160 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)的2STR1160是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。这种器件广泛应用于各种电子电路中,主要作为开关或放大元件使用。以下是其常见的应用场景:

1. 开关应用:  
   2STR1160可以用作电子开关,在数字电路中控制其他设备的通断状态。例如,用于继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等场景。其快速切换特性和稳定性使其在这些应用中表现优异。

2. 信号放大:  
   在音频设备、传感器信号处理或其他需要低噪声放大的场合,该晶体管可以用来放大微弱信号。它适用于前置放大器或缓冲器设计,确保输出信号具有足够的强度和保真度。

3. 电源管理:  
   该型号可用于简单的线性稳压器或电流限制电路中,帮助调节电压或保护下游组件免受过流损害。此外,在某些电池充电电路中也可能用到此类晶体管来监控和控制充电过程。

4. 通信与工业自动化:  
   在通信设备及工业控制系统内,2STR1160能够参与构建调制解调电路、脉宽调制(PWM)生成器以及其他形式的数据传输接口电路。

5. 消费类电子产品:  
   包括家用电器如风扇速度控制器、灯光明暗调节器以及玩具遥控装置等都可能采用这种类型的BJT进行功能实现。

总之,2STR1160凭借其可靠的性能参数和经济实惠的价格,在众多领域都有着广泛的用途。选择具体应用时需根据实际需求考虑工作频率、功耗要求以及散热条件等因素。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN LV FAST SOT-23两极晶体管 - BJT Low-Volt Fast Switch NPN Pwr Tran

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics 2STR1160-

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产品型号

2STR1160

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

430mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

180 @ 500mA,2V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

497-6960-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF183818?referrer=70071840

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

500 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

180 at 0.5 A at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

180 at 0.5 A at 2 V, 85 at 1 A at 2 V

系列

2S1160

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

频率-跃迁

-

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