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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX849STZ由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX849STZ价格参考。Diodes Inc.ZTX849STZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZTX849STZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZTX849STZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZTX849STZ是一款双极结型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管,常用于中功率放大和开关应用。该器件采用SOT-89封装,具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力,适合需要可靠性和稳定性的电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、稳压器等电路中,作为开关元件使用,具有较高的开关效率和稳定性。 2. 马达驱动与继电器控制:适用于小功率电机、继电器等负载的控制,具备足够的电流放大能力以驱动负载。 3. 工业控制设备:在工业自动化系统中用于信号放大、逻辑控制和执行机构驱动。 4. 消费类电子产品:如LED驱动、充电电路、电源适配器等,作为关键的开关或放大元件。 5. 汽车电子系统:可用于车载电源系统、灯控模块等,满足汽车电子对温度和稳定性的较高要求。 ZTX849STZ具有较高的集电极电流(Ic)额定值(通常可达3A),工作电压适中,适合中低功率应用,是性价比高且可靠性强的通用晶体管。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANSISTOR NPN MED PWR E-LINE |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | ZTX849STZ |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 220mV @ 200mA,5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1A,1V |
供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
功率-最大值 | 1.2W |
包装 | 带盒(TB) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | E-Line-3,成型引线 |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 2,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
频率-跃迁 | 100MHz |