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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJF15030G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJF15030G价格参考。ON SemiconductorMJF15030G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJF15030G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJF15030G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJF15030G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该器件主要应用于高频、高功率的场景,其具体应用场景包括但不限于以下几方面: 1. 射频放大器:MJF15030G 适合用于射频信号的放大,尤其是在通信设备中,如无线基站、无线电收发器等,能够提供高效的功率放大。 2. 开关电路:由于其快速开关特性和低饱和压降,该晶体管可用于高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、电源管理模块等。 3. 音频功率放大:在音频设备中,MJF15030G 可用作功率放大器的一部分,以驱动扬声器或耳机,确保高质量的音频输出。 4. 工业控制:在工业自动化领域,该晶体管可用于电机驱动、继电器控制或其他需要高电流驱动的应用中。 5. 测试与测量设备:MJF15030G 的高性能使其适用于精密仪器和测试设备中的信号调节和功率转换。 6. 医疗设备:在需要高精度和可靠性的医疗仪器中,该晶体管可用于信号处理和功率管理部分。 总的来说,MJF15030G 凭借其优异的电气特性,广泛应用于需要高频率、高效率和高可靠性的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS POWER NPN 8A 150V TO220FP两极晶体管 - BJT 8A 150V 36W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJF15030G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJF15030G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 4A,2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | MJF15030GOS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 36 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 150V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | MJF15030 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 150 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 8 A |
| 频率-跃迁 | 30MHz |