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NSS1C201MZ4T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS1C201MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS1C201MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSS1C201MZ4T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 2A 100MHz 800mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载NSS1C201MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS1C201MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的NSS1C201MZ4T1G是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单类型的产品。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - NSS1C201MZ4T1G常用于开关电源、线性稳压器和直流-直流转换器中,作为开关或放大元件,帮助实现高效的电压调节。 - 在电池充电电路中,该晶体管可用于控制充电电流和保护电路。 2. 信号放大 - 该晶体管适用于音频放大器、传感器信号放大等场景,能够将微弱的输入信号放大到所需的输出电平。 - 在通信设备中,可用于射频信号的预放大或驱动放大。 3. 开关应用 - 作为电子开关,NSS1C201MZ4T1G可用于继电器驱动、LED驱动、电机控制等场景。 - 在数字电路中,可作为逻辑电平转换或信号隔离的开关元件。 4. 保护电路 - 该晶体管可用于过流保护、短路保护和过温保护电路中,通过快速响应异常情况来保护系统。 - 在负载开关中,可用作限流元件以防止过载。 5. 消费电子产品 - 广泛应用于家用电器(如风扇、吸尘器)、音响设备、遥控器等产品中,提供稳定的电流控制和信号处理功能。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中,该晶体管可用于信号传输、传感器接口和驱动小型执行器(如电磁阀、步进电机)。 总结 NSS1C201MZ4T1G凭借其高性能和可靠性,适用于多种低功耗、高效率的电子设计场景。具体应用时需根据其电气参数(如集电极-发射极饱和电压、最大电流、功率等)进行合理选型和设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN 100V 2A SOT223-4两极晶体管 - BJT 100V, NPN Low VCE Trans. |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS1C201MZ4T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS1C201MZ4T1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 180mV @ 200mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 500mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | NSS1C201MZ4T1GOSCT |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 2000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 150 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 at 10 mA at 2 V, 120 at 0.5 A at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V |
系列 | NSS1C201MZ4 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
集电极—基极电压VCBO | 140 V |
频率-跃迁 | 100MHz |