图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: NSS1C201MZ4T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

NSS1C201MZ4T1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSS1C201MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS1C201MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSS1C201MZ4T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 2A 100MHz 800mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载NSS1C201MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS1C201MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美半导体)的NSS1C201MZ4T1G是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单类型的产品。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - NSS1C201MZ4T1G常用于开关电源、线性稳压器和直流-直流转换器中,作为开关或放大元件,帮助实现高效的电压调节。
   - 在电池充电电路中,该晶体管可用于控制充电电流和保护电路。

 2. 信号放大
   - 该晶体管适用于音频放大器、传感器信号放大等场景,能够将微弱的输入信号放大到所需的输出电平。
   - 在通信设备中,可用于射频信号的预放大或驱动放大。

 3. 开关应用
   - 作为电子开关,NSS1C201MZ4T1G可用于继电器驱动、LED驱动、电机控制等场景。
   - 在数字电路中,可作为逻辑电平转换或信号隔离的开关元件。

 4. 保护电路
   - 该晶体管可用于过流保护、短路保护和过温保护电路中,通过快速响应异常情况来保护系统。
   - 在负载开关中,可用作限流元件以防止过载。

 5. 消费电子产品
   - 广泛应用于家用电器(如风扇、吸尘器)、音响设备、遥控器等产品中,提供稳定的电流控制和信号处理功能。

 6. 工业自动化
   - 在工业控制系统中,该晶体管可用于信号传输、传感器接口和驱动小型执行器(如电磁阀、步进电机)。

 总结
NSS1C201MZ4T1G凭借其高性能和可靠性,适用于多种低功耗、高效率的电子设计场景。具体应用时需根据其电气参数(如集电极-发射极饱和电压、最大电流、功率等)进行合理选型和设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4两极晶体管 - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS1C201MZ4T1G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

NSS1C201MZ4T1G

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

180mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 500mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

NSS1C201MZ4T1GOSCT

功率-最大值

800mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

2000 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

150

直流集电极/BaseGainhfeMin

150 at 10 mA at 2 V, 120 at 0.5 A at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V

系列

NSS1C201MZ4

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

140 V

频率-跃迁

100MHz

NSS1C201MZ4T1G 相关产品

MPSA20_D27Z

品牌:ON Semiconductor

价格:

MMBTA42-7

品牌:Diodes Incorporated

价格:

2SC2705-Y(TE6,F,M)

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

MMBT5087LT3G

品牌:ON Semiconductor

价格:

BC858AW-7-F

品牌:Diodes Incorporated

价格:

MPSW42RLRA

品牌:ON Semiconductor

价格:

2N4124_S00Z

品牌:ON Semiconductor

价格:

2SD1048-7-TB-E

品牌:ON Semiconductor

价格: