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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1962RTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1962RTU价格参考。Fairchild Semiconductor2SA1962RTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SA1962RTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA1962RTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA1962RTU是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极结型晶体管(BJT)。该晶体管常用于中功率放大和开关应用,具有良好的稳定性和可靠性。 主要应用场景包括: 1. 音频放大器: 用于音频功率放大电路中,作为推动级或输出级,提供良好的线性放大性能,适用于音响设备、功放系统等。 2. 电源开关电路: 在DC-DC转换器、稳压电源或负载开关中作为功率开关元件,控制电流的通断,适用于工业控制、电源管理系统。 3. 马达驱动电路: 用于小型电机的驱动控制,如风扇、泵类设备,作为驱动三极管控制电机启停或调速。 4. 逆变器与UPS系统: 在不间断电源(UPS)或小功率逆变器中,作为功率变换部分的开关元件,协助实现直流到交流的转换。 5. 工业控制设备: 在PLC、继电器驱动、传感器信号调理等工业自动化设备中,用于信号放大或驱动负载。 该晶体管采用小型表面贴装封装(如SOT-89),便于在高密度PCB中使用,适合自动化装配。其良好的热稳定性和性价比,使其广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 250V 17A TO-3P两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Silicon |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2SA1962RTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA1962RTU |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 800mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 55 @ 1A,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 130000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 17 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 250V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 17A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 55 at 1 A at 5 V |
| 系列 | 2SA1962 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 230 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 230 V |
| 集电极连续电流 | 15 A |
| 频率-跃迁 | 30MHz |