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2N5210TA产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5210TA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5210TA价格参考¥0.15-¥0.16。Fairchild Semiconductor2N5210TA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 100mA 30MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5210TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5210TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5210TA 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号通常应用于低频、小信号放大和开关电路中,以下是其主要应用场景: 1. 信号放大 - 2N5210TA 可用于音频信号的前置放大,例如麦克风输入信号的放大。 - 在低频信号处理中,可用于无线电接收机或传感器信号的放大。 2. 开关应用 - 作为电子开关,2N5210TA 可用于控制小型负载,例如 LED、继电器或小型电机。 - 在数字电路中,可以用作简单的逻辑电平转换或驱动电路。 3. 电源管理 - 在低压电源电路中,可用作电流调节器或恒流源。 - 配合其他元件,可以实现简单的稳压功能。 4. 振荡器电路 - 2N5210TA 可用于构建低频振荡器,例如 Relaxation 振荡器或 Hartley 振荡器。 5. 传感器接口 - 在传感器信号处理中,用作信号放大或电平转换,将微弱信号放大到可检测范围。 注意事项: - 2N5210TA 的最大集电极电流为 1A,功率耗散为 6W,因此适用于中小功率场合。 - 使用时需注意散热设计,尤其是在高电流或高功耗条件下。 - 根据具体应用需求,可能需要搭配偏置电阻、耦合电容等外围元件。 总之,2N5210TA 是一款通用型双极型晶体管,适合多种低频、小功率电子电路的设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5210TA- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N5210TA |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 700mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 100µA, 5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 2N5210TAFSCT |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 240 mg |
发射极-基极电压VEBO | 4.5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 30 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 600 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
系列 | 2N5210 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.7 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
零件号别名 | 2N5210TA_NL |
频率-跃迁 | 30MHz |