Datasheet下载- 型号： 2N5885G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5885G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5885G价格参考。ON Semiconductor2N5885G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5885G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5885G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5885G是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型高频功率晶体管。该器件广泛应用于需要较高频率和功率处理能力的电子电路中。 主要应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：2N5885G具有良好的高频特性，适用于VHF/UHF频段的射频信号放大，常用于通信设备、无线发射机等场合。 2. 功率放大器：该晶体管具备一定的功率输出能力，适合用于中功率级别的音频或射频放大电路。 3. 开关电路：由于其快速响应特性，也可用于高速开关应用，如电源控制、脉冲调制等。 4. 工业与消费类电子产品：在一些对性能要求较高的工业控制系统或消费类电子产品中，作为关键放大或驱动元件使用。 5. 汽车电子系统：因其可靠性和稳定性较强，也常见于汽车音响、车载通信模块等系统中。 综上所述，2N5885G凭借其高频性能与功率处理能力，在通信、音频、工业控制等多个领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN PWR GP 25A 60V TO3两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5885G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5885G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 6.25A，25A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 10A，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 其它名称 | 2N5885GOS |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 托盘 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 封装/箱体 | TO-204-2 (TO-3) |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 25 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 25A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 2mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | 2N5885 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 25 A |
| 频率-跃迁 | 4MHz |
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