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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTP2008GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTP2008GTA价格参考。Diodes Inc.ZXTP2008GTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXTP2008GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTP2008GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXTP2008GTA是由Diodes Incorporated生产的一款双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它具有较高的电流增益和良好的开关性能,适用于多种电子电路设计。 该晶体管的典型应用场景包括: 1. 开关电路:ZXTP2008GTA具有良好的饱和压降和快速开关特性,常用于数字电路中的开关元件,如驱动继电器、LED、小型电机等负载。 2. 放大电路:由于其较高的电流增益,适用于低频信号放大器,如音频前置放大器或传感器信号放大电路。 3. 电源管理电路:可用于稳压电源或DC-DC转换器中的控制电路部分,作为电流调节或电压控制元件。 4. 嵌入式系统与工业控制:在嵌入式控制系统中用于接口电路,实现微控制器与高功率设备之间的信号隔离与驱动。 5. 汽车电子:因其可靠性和稳定性,ZXTP2008GTA也广泛应用于汽车电子系统中,如车灯控制、电动窗驱动等。 6. 消费类电子产品:如家用电器、智能玩具、遥控器等设备中,用于信号处理或负载控制。 综上,ZXTP2008GTA是一款通用型高性能BJT晶体管,适用于需要中等功率处理能力的多种电子系统中,具有广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP LO SAT 30V 5.5A SOT223两极晶体管 - BJT 30V PNP Low Sat |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTP2008GTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXTP2008GTA |
PCN其它 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 210mV @ 500mA,5.5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1A,1V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | ZXTP2008GCT |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 110 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 3 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 5.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5.5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
集电极连续电流 | - 5.5 A |
频率-跃迁 | 110MHz |