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2SD1767T100Q产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1767T100Q由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1767T100Q价格参考。ROHM Semiconductor2SD1767T100Q封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 700mA 120MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SD1767T100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD1767T100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的晶体管型号2SD1767T100Q属于双极型晶体管(BJT)中的NPN型晶体管。该晶体管通常用于中功率放大和开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源开关电路中,实现高效的电能转换与调节。 2. 马达驱动:在小型电机控制电路中作为开关元件,适用于家电或工业设备中的电机驱动。 3. 音频放大器:作为音频信号的功率放大器件,用于音响设备或小型功放系统。 4. 继电器驱动:在需要控制高电压或高电流负载的场合,用作继电器的驱动开关。 5. LED照明控制:用于LED驱动电路中,实现对大功率LED的开关控制。 6. 工业控制设备:如PLC、传感器接口电路中,作为信号放大或隔离元件。 该晶体管具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力,适合在中等功率条件下工作,广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89两极晶体管 - BJT NPN 80V 0.7A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SD1767T100Q- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SD1767T100Q |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 100mA,3V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | MPT3 |
其它名称 | 2SD1767T100QCT |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 120 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | SOT-89 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 700mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 390 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
集电极连续电流 | 0.7 A |
频率-跃迁 | 120MHz |