Datasheet下载- 型号： SFT1202-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SFT1202-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SFT1202-E价格参考。ON SemiconductorSFT1202-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SFT1202-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SFT1202-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SFT1202-E是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。它主要用于高频放大和开关应用，具有良好的高频特性和可靠性。 应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：适用于无线通信设备中的信号放大，如基站、无线接入点等。 2. 高频开关电路：用于需要快速开关的数字或模拟电路中。 3. 功率放大模块：在音频或射频功率放大器中作为前置放大级使用。 4. 工业控制设备：如传感器信号调理电路、驱动继电器或小型电机。 5. 消费类电子产品：如电视、音响设备中的信号处理电路。 该晶体管适合要求高频性能与稳定性的应用场景，广泛应用于通信、工业及消费电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 2A 150V TP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SFT1202-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 165mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，5V |
| 供应商器件封装 | TP |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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