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2N4403TFR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N4403TFR由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4403TFR价格参考。Fairchild Semiconductor2N4403TFR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 600mA 200MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N4403TFR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N4403TFR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N4403TFR 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 PNP 型结构,常用于低功率放大和开关应用。以下是其主要应用场景: 1. 信号放大 - 2N4403TFR 可用于音频、射频或其他小信号的放大电路中。例如,在音频设备中,它可以作为前置放大器,将微弱的输入信号增强到适合后续处理的电平。 - 其典型电流增益(hFE)范围为 60 至 300,适用于需要中等增益的应用。 2. 开关电路 - 该晶体管可以作为电子开关使用,控制负载(如 LED、继电器或小型电机)的通断。由于其 PNP 结构,通常在高电平输入时关闭,低电平输入时开启。 - 在电源管理电路中,2N4403TFR 可用于实现简单的电压调节或负载切换功能。 3. 逻辑电平转换 - 在不同电压系统的接口设计中,2N4403TFR 能够实现逻辑电平的转换。例如,将 3.3V 信号转换为 5V 或更高电压的信号。 4. 振荡器和定时电路 - 2N4403TFR 可用于构建多谐振荡器、单稳态触发器或定时电路,广泛应用于脉冲生成、延时控制等领域。 5. 传感器驱动 - 它可以用来驱动传感器模块中的负载,例如红外发射器、蜂鸣器等。通过外部电阻调整电流,确保负载安全运行。 6. 电源保护电路 - 在过流保护或欠压锁定电路中,2N4403TFR 可以充当关键元件,检测异常情况并切断电源。 注意事项: - 2N4403TFR 的最大集电极电流为 200mA,最大功耗为 625mW,因此不适合大功率应用。 - 使用时需根据具体需求选择合适的偏置电阻,避免过热或损坏。 总之,2N4403TFR 是一种通用性强、成本低廉的 PNP 晶体管,适用于多种低功率模拟和数字电路设计场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP 40V 0.6A TO-92两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N4403TFR- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N4403TFR |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 2N4403D26ZCT |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 240 mg |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 200 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | 2N4403 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.75 V |
集电极连续电流 | 0.6 A |
频率-跃迁 | 200MHz |