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型号： KSA1381ESTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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KSA1381ESTU产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供KSA1381ESTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSA1381ESTU价格参考￥1.04-￥1.45。Fairchild SemiconductorKSA1381ESTU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 300V 100mA 150MHz 7W 通孔 TO-126-3。您可以下载KSA1381ESTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSA1381ESTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

KSA1381ESTU 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号主要应用于高频、高增益的场景，适合用作射频（RF）和音频信号放大器。以下是其典型应用场景：

1. 射频放大：  
   KSA1381ESTU 适用于射频信号放大电路，尤其是在通信设备中，如无线发射机、接收机以及调谐器等。它能够提供较高的增益和稳定性，满足高频信号处理需求。

2. 音频前置放大：  
   在音频设备中，这款晶体管可用于前置放大器阶段，提升微弱信号的强度，同时保持低噪声特性，确保音频质量清晰。

3. 混频器与振荡器：  
   由于其高频性能优越，KSA1381ESTU 可用于构建混频器或振荡器电路，广泛应用于无线电频率转换及信号生成领域。

4. 开关应用：  
   在需要快速切换的电路中，例如脉宽调制（PWM）控制器或逻辑电平转换器，该晶体管也能发挥良好作用。

5. 测试与测量设备：  
   高精度仪器仪表中常需使用高性能晶体管来保证测量结果准确无误，KSA1381ESTU 的稳定性和可靠性使其成为理想选择之一。

6. 工业控制：  
   在自动化控制系统中，此型号可以作为信号调理元件，完成对传感器输出信号的放大处理。

综上所述，KSA1381ESTU 凭借其优秀的电气参数，在通信、消费电子、工业自动化等多个领域有着广泛的应用价值。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PNP 300V 100MA TO-126两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSA1381ESTU-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	KSA1381ESTU
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 2mA，20mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 10mA，10V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-126
功率-最大值	7W
包装	管件
单位重量	761 mg
发射极-基极电压VEBO	- 5 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	150 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
封装/箱体	TO-126
工厂包装数量	60
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	7 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.1 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	60
电压-集射极击穿（最大值）	300V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
直流电流增益hFE最大值	320
直流集电极/BaseGainhfeMin	40
系列	KSA1381
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 300 V
集电极—基极电压VCBO	- 300 V
集电极—射极饱和电压	- 0.6 V
集电极连续电流	- 0.1 A
零件号别名	KSA1381ESTU_NL
频率-跃迁	150MHz