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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PN200A_J18Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PN200A_J18Z价格参考。Fairchild SemiconductorPN200A_J18Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PN200A_J18Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PN200A_J18Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PN200A_J18Z 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件广泛应用于中低功率的开关和放大电路中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理与开关电路:由于具备良好的电流放大能力和较高的开关速度,PN200A_J18Z常用于DC-DC转换器、负载开关及继电器驱动等电源控制场合。 2. 信号放大电路:适用于音频前置放大器、传感器信号调理等模拟电路中,作为小信号放大元件使用。 3. 工业控制设备:如PLC模块、电机驱动电路、工业自动化系统中的逻辑控制部分,该晶体管可用来驱动LED、小型继电器或风扇等负载。 4. 消费类电子产品:在家电控制器、充电器、照明调节器等产品中,用于实现基本的电子开关功能。 5. 汽车电子系统:因其具有一定的温度稳定性和可靠性,也可用于汽车内部的辅助电子控制系统中,如车灯控制、仪表盘指示灯驱动等。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,且具备较好的热稳定性和成本优势,是通用型电子设计中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS GP PNP 45V 500MA TO-92两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor PN200A_J18Z- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PN200A_J18Z |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 20mA,200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 10mA,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 50nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 600 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 系列 | PN200A |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 频率-跃迁 | 250MHz |