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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE200TSTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE200TSTU价格参考。Fairchild SemiconductorMJE200TSTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJE200TSTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE200TSTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE200TSTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型高频晶体管。其主要特点是具有较高的截止频率(fT)和良好的增益特性,适用于高频放大和开关应用。 该晶体管的典型应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器:MJE200TSTU适用于VHF、UHF等射频信号放大电路,常用于无线通信设备、广播接收器和射频模块中。 2. 音频放大器:在音频前置放大或功率放大电路中,可用于提升信号强度,尤其在需要高频响应的音响系统中表现良好。 3. 高速开关电路:由于其高频响应特性,适合用于需要快速开关的数字电路或脉冲电路中。 4. 电视机与显示器电路:用于视频信号放大和处理电路中,如扫描电路或视频输出放大器。 5. 工业控制与传感器电路:在需要信号调节和放大的工业控制系统中,作为信号放大元件使用。 MJE200TSTU采用SOT-223封装,体积小、散热性能好,适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 25V 5A TO-126 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MJE200TSTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.8V @ 1A,5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 45 @ 2A,1V |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 15W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 65MHz |