Datasheet下载- 型号： DCX56-16-13
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DCX56-16-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DCX56-16-13价格参考。Diodes Inc.DCX56-16-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DCX56-16-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DCX56-16-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DCX56-16-13是Diodes Incorporated生产的一款双极结型晶体管（BJT），属于NPN型高频晶体管。该晶体管常用于需要高频率和中等功率处理能力的电路设计中，具有良好的高频响应和可靠性。 其主要应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：适用于无线通信设备中的信号放大，如基站、无线接入点等。 2. 高频开关电路：可用于高速开关应用，如电源管理、脉冲电路等。 3. 振荡器与混频器：在通信系统中作为振荡源或信号混合元件。 4. 工业控制设备：如传感器接口电路、精密仪器中的信号调节部分。 5. 消费类电子产品：如音频设备、电视调谐器等对高频性能有要求的产品中。 该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，广泛应用于各类电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR BIPO NPN 80V SOT89-3两极晶体管 - BJT 1000W 80Vceo |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DCX56-16-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DCX56-16-13 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | DCX56-16DICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 63 |
| 系列 | DCX56 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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