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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTN19100CZTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTN19100CZTA价格参考。Diodes Inc.ZXTN19100CZTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXTN19100CZTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTN19100CZTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXTN19100CZTA是Diodes Incorporated生产的一款NPN型双极性晶体管(BJT),具有高频响应和中等功率处理能力,适用于多种电子电路设计。 该晶体管主要应用于以下场景: 1. 射频(RF)放大器:由于其良好的高频特性,ZXTN19100CZTA常用于射频信号放大电路,如无线通信设备中的前置放大器或驱动放大器。 2. 开关电路:该器件具备较高的电流增益和较快的开关速度,适合用于数字控制电路中的开关元件,例如DC-DC转换器、马达驱动电路或LED照明控制。 3. 模拟放大电路:在音频放大器或其他模拟信号处理电路中,作为电压或电流放大级使用。 4. 电源管理模块:可用于电池供电设备中的稳压电路或负载开关,实现高效的电源控制。 5. 工业控制系统:如传感器信号调理、继电器驱动等场合,发挥其稳定性和可靠性优势。 综上所述,ZXTN19100CZTA因其高频性能与良好稳定性,广泛适用于通信、消费电子、工业控制等领域中的信号放大、开关控制及电源管理应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN MED PWR 100V SOT89两极晶体管 - BJT NPN 100V 5.25A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTN19100CZTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTN19100CZTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 350mV @ 525mA,5.25A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 100mA,2V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | ZXTN19100CZDKR |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 4460 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5.25 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5.25A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 500 at 100 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 at 5.25 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 65 mV |
| 集电极连续电流 | 5.25 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |