Datasheet下载- 型号： 1N5347BE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5347BE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5347BE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5347BE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5347BE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5347BE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的1N5347BE3/TR12是一款齐纳二极管，属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。这种器件的主要功能是通过其齐纳击穿特性提供稳定的电压参考。以下是该型号的应用场景： 1. 电压稳压 - 1N5347BE3/TR12可以用于简单的电压稳压电路中。它能够在负载电流变化时保持输出电压的稳定，适用于低功率电路中的电压调节。 - 例如，在电源设计中，可以用作辅助稳压元件，确保某些部分的电压恒定。 2. 电压参考 - 作为精密电压参考源，该齐纳二极管可用于需要固定电压基准的电路，如比较器、运算放大器或模数转换器（ADC）的参考电压生成。 3. 过压保护 - 在敏感电子设备中，1N5347BE3/TR12可以用作过压保护元件。当输入电压超过设定值时，齐纳二极管会导通并将电压限制在安全范围内，从而保护后续电路。 4. 信号电平调整 - 在通信或信号处理电路中，齐纳二极管可用于将信号电平限制在特定范围内，避免信号失真或损坏接收端。 5. 浪涌抑制 - 该型号的齐纳二极管能够吸收瞬态电压浪涌，常用于抑制由开关或其他干扰源引起的电压尖峰。 6. 温度补偿电路 - 结合其他元件（如电阻或晶体管），1N5347BE3/TR12可用于构建温度补偿电路，以减少因温度变化导致的性能漂移。 特性概述： - 额定功率：约5W（具体取决于封装和散热条件）。 - 齐纳电压：典型值约为12V（具体值需参考数据手册）。 - 工作温度范围：通常支持工业级温度范围（-55°C至+150°C）。 - 封装形式：TO-218-3表面贴装封装，适合高功率密度应用。 综上所述，1N5347BE3/TR12适用于各种需要电压稳压、参考或保护的场景，尤其在低功耗和中等功率应用中表现出色。在实际使用中，需根据具体电路需求选择合适的偏置电流和散热措施，以确保其性能稳定。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 10V 5% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5347BE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 7.2V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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